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说明：
1.推挽DC-DC拓扑可以充分利用磁芯
2.MOSFET 电压为输入电压的两倍
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输入输出参数:
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輸入电压
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最低:伏特(DC/V) 最高:伏特(DC/V) 正常: 伏特(DC/V)
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输出1
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电压: V 最低电流: A 最大电流: A 波纹: mV
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输出2
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电压: V 最低电流:
A
最大电流: A 波纹: mV
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整流/开关管压降
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整流二极管压降: V
MOSFET导通电阻:ohm |
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开
关电源参数
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推挽频率:
kHz 开关电源效率η :(估计
值) 最大占空比: Dmax
(此芯片要求最小输入电压下<<40%)
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| 基本参数计算 |
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最大输出功率：
W 最小输出功率: W
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开关周期T: uSec 主绕组每个wing的开关周期: uSec 每wing的Tonmax:
uSec
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| 最大输入电压的最小占空比: Dmin 正常输入电压占空比: Dnom |
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MOSFET最大反向电压:V (最大DC电压+30%电感尖峰) MOSFET峰值电流:(lp_ft): A
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MOSFET最大导通压降:V
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| 整流管最大反向电压: V 输出1整流管最大功耗:W 输出2整流管最大功耗:W 整流管总功耗:W |
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| 匝比(s/p): |
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Primary wing DC current: A (Ip_dc)
Primary flat top
current: A (Ip_ft)
Primary rms
current : A (Ip_rms)
Primary AC
current : A (Ip_ac)
Secondary1 rms current:
A (Is1_rms)
Secondary2 rms current: A (Is2_rms)
Secondary1 ac current : A (Is1_ac)
Secondary2 ac current : A (Is2_ac)
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整流输出
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secondary1
整流输出电压:V
secondary2整流输出电压:V |
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输出电感选择
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输出电感Lo1:uH
(需要向上取实用值)
输出电感Lo2:uH
(需要向上取实用值) |
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输出波纹控制
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输出1波纹电流 di1:A 输出1滤波电容Co1:uF 输出1滤波电容最大容许ESR:Ohm
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| 输出2波纹电流 di2:A 输出2滤波电容Co2:uF 输出2滤波电容最大容许ESR:Ohm |
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MOSFET
选型
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MOSFET基本参数
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导通电阻:ohm
Coss:pF Qgtot:nC(纳库仑) Qgd:nC Qgs:nC Vgsth:V
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| MOSFET
驱动能力 |
驱
动电压:V L-H驱动内阻(驱动电压/最大驱动电流):ohm H-L驱动内阻(强下拉):ohm |
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结温和容许环境温度
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Max junktion tempratue: Celsius Max ambient temperature:Celsius
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MOSFET
耗散功率
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峰
值开启驱动电流:A 峰值关闭驱动电流:A 估计开启时间:nS
估计关断时间:nS
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导通损耗:W
开关损耗:W 栅
极电荷损耗:W MOSFET总损耗:W |
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 requeiment θja
θja = (Tjmax - Tamax)/Pmosfettot
θja: C/W
左图为D2PAK封装的SUD19N20-90的热阻和散热面积参考图.
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| 脉冲变压器预估ΔB |
(计算后可直接修改ΔB)
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初始设计参数
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电流密度J:A/cm2 (280-390) 最大磁芯损耗密度:mW/cm3 (温升约40度)
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磁通密度估算参数
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P型材料 a1: b1: c1: 绕组最高容许温度:C |
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| 选择ΔB |
ΔB:G |
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有效面积乘积
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WaAc>:cm4 |
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选择脉冲变压器
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脉冲变压器体积参数
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Ac:cm2 Wa:cm2 Lw:cm Ve(体积):cm3 Lt:cm (Lt:骨架周长)
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脉冲变压器磁性参数
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Lpath:cm 磁导率μ r :(P型材料为1720) 实际Ac*Wa cm4
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绕组匝数
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主绕组匝数:turns 输出1:turns 输出2:turns
Np = ((Vi_min-Vds_on)*Tch*D_max)/(deltaB*Ac)*100
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主绕组
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主绕组电感:uH 主绕组励磁电流:A
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预估主绕组线号
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导线截面积(Wp_cu)mm2 估计AWG: |
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预估次级绕组1线号
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导线截面积(Wp_cu)mm2 估计AWG:
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预估绕组2线号
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导线截面积(Wp_cu)mm2 估计AWG: |
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选择线号
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主绕组线号: (AWG_Lp) 次级绕组1: (AWG_Ls1) 次级绕组2: (AWG_Ls2) |
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| 计算绕线参数 |
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主绕组
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线号 直径mm 股并绕 圈 共层 每层可容纳圈 |
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次级绕组1
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线号 直径mm 股并绕 圈 共层 每层可容纳圈 |
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次级绕组2
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线号 直径mm 股并绕 圈 共层 每层可容纳圈 |
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窗口利用率
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绕组总面积:cm3 窗口利用率Wu:(必须小于95%)
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脉冲变压器损耗
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磁芯损耗:W 主绕组铜损:W 次级绕组1铜损:W 次级绕组2铜损:W
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脉冲变压器效率
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总铜损:W 变压器总损耗:W 变压器总效率: |
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电源总损耗
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输入电感电阻:Ohm PCB损耗估计:W |
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电源总效率
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效率ηtot: 总损耗功率:W
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